| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Séries: | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.65 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 62.5W (Tc) |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| Autres noms: | 1727-3052-1 568-2178-1 568-2178-1-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4457pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 48.5nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| Description détaillée: | N-Channel 20V 100A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
