| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Sarja: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 2.65 mOhm @ 25A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 62.5W (Tc) |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| Muut nimet: | 1727-3052-1 568-2178-1 568-2178-1-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4457pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 48.5nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 20V 100A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
