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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > PDTC123YT,215
PDTC123YT,215
PDTC123YT,215
Modèle de produit:
PDTC123YT,215
Fabricant:
Nexperia
La description:
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
89174 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PDTC123YT,215.pdf
Enquête

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:TO-236AB (SOT23)
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):2.2 kOhms
Puissance - Max:250mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:1727-6277-1
568-8094-1
568-8094-1-ND
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:PDTC123
Email:[email protected]

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