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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > PDTC123TU,115
PDTC123TU,115
PDTC123TU,115
Modèle de produit:
PDTC123TU,115
Fabricant:
Nexperia
La description:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
76594 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
PDTC123TU,115.pdf
Enquête

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SOT-323-3
Séries:-
Résistance - Base (R1):2.2 kOhms
Puissance - Max:200mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SC-70, SOT-323
Autres noms:934059938115
PDTC123TU T/R
PDTC123TU T/R-ND
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-323-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 20mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:PDTC123
Email:[email protected]

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