| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | - |
| Transistor Type: | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur: | TO-92-3 |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 2.2 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Puissance - Max: | 500mW |
| Emballage: | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Autres noms: | 934059133126 PBRP123ES AMO PBRP123ES AMO-ND |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | - |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 800mA |
| Numéro de pièce de base: | PBRP123 |
| Email: | [email protected] |
