| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | - |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 2.2 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Power - Max: | 500mW |
| Embalagem: | Tape & Box (TB) |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Outros nomes: | 934059133126 PBRP123ES AMO PBRP123ES AMO-ND |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | - |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | - |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 800mA |
| Número da peça base: | PBRP123 |
| Email: | [email protected] |
