NGTG50N60FWG
NGTG50N60FWG
Modèle de produit:
NGTG50N60FWG
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 100A 223W TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
71979 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NGTG50N60FWG.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:1.7V @ 15V, 50A
Condition de test:400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:117ns/285ns
énergie de commutation:1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247
Séries:-
Puissance - Max:223W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:NGTG50N60FWGOS
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench
gate charge:310nC
Description détaillée:IGBT Trench 600V 100A 223W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm):200A
Courant - Collecteur (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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