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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > NGTD9R120F2WP
NGTD9R120F2WP
Modèle de produit:
NGTD9R120F2WP
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
43559 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NGTD9R120F2WP.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:2.6V @ 15A
Tension - inverse (Vr) (max):1200V
Package composant fournisseur:Die
La vitesse:-
Séries:-
Emballage:Bulk
Package / Boîte:Die
Température d'utilisation - Jonction:175°C (Max)
Type de montage:Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant:4 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 1200V Surface Mount Die
Courant - fuite, inverse à Vr:1µA @ 1200V
Courant - Rectifié moyenne (Io):-
Capacité à Vr, F:-
Email:[email protected]

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