NGTB40N120IHRWG
NGTB40N120IHRWG
Modèle de produit:
NGTB40N120IHRWG
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 1200V 80A 384W TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
58638 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NGTB40N120IHRWG.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.55V @ 15V, 40A
Condition de test:600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:-/230ns
énergie de commutation:950µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247
Séries:-
Puissance - Max:384W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:NGTB40N120IHRWGOS
Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:5 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:225nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 384W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm):120A
Courant - Collecteur (Ic) (max):80A
Email:[email protected]

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