NGTB30N60L2WG
NGTB30N60L2WG
Modèle de produit:
NGTB30N60L2WG
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 30A TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
55249 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
NGTB30N60L2WG.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:1.6V @ 15V, 30A
Condition de test:300V, 30A, 30 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:100ns/390ns
énergie de commutation:310µJ (on), 1.14mJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247-3
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):70ns
Puissance - Max:225W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:4 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:166nC
Description détaillée:IGBT 600V 100A 225W Through Hole TO-247-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm):60A
Courant - Collecteur (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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