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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - TECJ > MV2N5114
MV2N5114
Modèle de produit:
MV2N5114
Fabricant:
Microsemi
La description:
P CHANNEL JFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité:
37612 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MV2N5114.pdf
Enquête

introduction

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BOSER Technology est le distributeur pour MV2N5114, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour MV2N5114 par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Cutoff (VGS off) @ Id:10V @ 1nA
Tension - Ventilation (V (BR) ESG):30V
Package composant fournisseur:TO-18 (TO-206AA)
Séries:Military, MIL-PRF-19500
Résistance - RDS (On):75 Ohms
Puissance - Max:500mW
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:25pF @ 15V
type de FET:P-Channel
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:JFET P-Channel 30V 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
Courant - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0):90mA @ 18V
Email:[email protected]

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