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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-JFET > MV2N5114
MV2N5114
Modello di prodotti:
MV2N5114
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
P CHANNEL JFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
37612 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MV2N5114.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id:10V @ 1nA
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS):30V
Contenitore dispositivo fornitore:TO-18 (TO-206AA)
Serie:Military, MIL-PRF-19500
Resistenza - RDS (on):75 Ohms
Potenza - Max:500mW
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
temperatura di esercizio:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:25pF @ 15V
Tipo FET:P-Channel
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:JFET P-Channel 30V 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0):90mA @ 18V
Email:[email protected]

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