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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT41K256M16TW-107 V:P
MT41K256M16TW-107 V:P
Modèle de produit:
MT41K256M16TW-107 V:P
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
63010 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MT41K256M16TW-107 V:P.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.283 V ~ 1.45 V
La technologie:SDRAM - DDR3L
Séries:-
Autres noms:MT41K256M16TW-107 V:P-ND
MT41K256M16TW-107V:P
Température de fonctionnement:0°C ~ 95°C (TC)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:4Gb (256M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 933MHz 20ns
Fréquence d'horloge:933MHz
Temps d'accès:20ns
Email:[email protected]

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