polski
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
O nas | Skontaktuj się z nami | Poprosić o wycenę |
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT41K256M16TW-107 V:P
MT41K256M16TW-107 V:P
Part Number:
MT41K256M16TW-107 V:P
Producent:
Micron Technology
Opis:
IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
63010 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
MT41K256M16TW-107 V:P.pdf
Zapytanie ofertowe

Wprowadzenie

MT41K256M16TW-107 V:P najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem MT41K256M16TW-107 V:P, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu MT41K256M16TW-107 V:P pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
Zapisać czas cyklu - słowo, strona:-
Napięcie - Dostawa:1.283 V ~ 1.45 V
Technologia:SDRAM - DDR3L
Seria:-
Inne nazwy:MT41K256M16TW-107 V:P-ND
MT41K256M16TW-107V:P
temperatura robocza:0°C ~ 95°C (TC)
Poziom czułości na wilgoć (MSL):3 (168 Hours)
Typ pamięci:Volatile
Rozmiar pamięci:4Gb (256M x 16)
Interfejs pamięci:Parallel
Format pamięci:DRAM
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
szczegółowy opis:SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 933MHz 20ns
Częstotliwość zegara:933MHz
Czas dostępu:20ns
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze

Podobne zamienne do MT41K256M16TW-107 V:P

Obraz Part Number Producenci Opis Widok
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR Image MT41K256M16TW-107 AIT:P TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-125:P Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR Image MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-107 AT:P TR Micron Technology MEMORY DRAM Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR Image MT41K256M16TW-107 AAT:P TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-107 XIT:P Image MT41K256M16TW-107 XIT:P Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-107:P TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-107 AIT:P Image MT41K256M16TW-107 AIT:P Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-107:P Image MT41K256M16TW-107:P Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Zapytanie ofertowe
MT41K256M16V80AWC1 Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL DIE Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-107 AUT:P Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-107 AT:P Micron Technology MEMORY DRAM Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR Image MT41K256M16TW-107 XIT:P TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Zapytanie ofertowe
MT41K256M16V90BWC1 Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL DIE Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-107 AAT:P Image MT41K256M16TW-107 AAT:P Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Zapytanie ofertowe
MT41K256M16V00HWC1 Micron Technology IC FLASH NAND 32GX8 TSOP Zapytanie ofertowe
MT41K256M16V00HWC1-N001 Micron Technology DDR3 4G DIE 256MX16 Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-093:P TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Zapytanie ofertowe
MT41K256M16TW-107 V:P TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Zapytanie ofertowe

Latest Aktualności