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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > MJ14001G
MJ14001G
MJ14001G
Modèle de produit:
MJ14001G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS PNP 60V 60A TO-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
62354 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MJ14001G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:3V @ 12A, 60A
Transistor Type:PNP
Package composant fournisseur:TO-3
Séries:-
Puissance - Max:300W
Emballage:Tray
Package / Boîte:TO-204AE
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 60A 300W Through Hole TO-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:15 @ 50A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1mA
Courant - Collecteur (Ic) (max):60A
Email:[email protected]

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