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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > MJ14001G
MJ14001G
MJ14001G
Modelo do Produto:
MJ14001G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PNP 60V 60A TO-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
62354 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MJ14001G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:3V @ 12A, 60A
Tipo transistor:PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3
Série:-
Power - Max:300W
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:TO-204AE
Temperatura de operação:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 60A 300W Through Hole TO-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:15 @ 50A, 3V
Atual - Collector Cutoff (Max):1mA
Atual - Collector (Ic) (Max):60A
Email:[email protected]

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