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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTX200N10L2
IXTX200N10L2
IXTX200N10L2
Modèle de produit:
IXTX200N10L2
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
57977 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXTX200N10L2.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 3mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PLUS247™-3
Séries:Linear L2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max):1040W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:23000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:540nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 200A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

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