IXTX200N10L2
IXTX200N10L2
Número de pieza:
IXTX200N10L2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
57977 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
IXTX200N10L2.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 3mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PLUS247™-3
Serie:Linear L2™
RDS (Max) @Id, Vgs:11 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo):1040W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:23000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:540nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:N-Channel 100V 200A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

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