Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFT20N60Q
IXFT20N60Q
IXFT20N60Q
Modèle de produit:
IXFT20N60Q
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
56426 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFT20N60Q.pdf
Enquête

introduction

IXFT20N60Q meilleur prix et livraison rapide.
BOSER Technology est le distributeur pour IXFT20N60Q, nous avons les stocks pour une expédition immédiate et aussi pour une fourniture à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour IXFT20N60Q par courriel, nous vous donnerons le meilleur prix en fonction de votre plan.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-268
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:350 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max):300W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:90nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 20A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXFT20N60Q

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXFT20N80P Image IXFT20N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 Enquête
IXFT16N80P Image IXFT16N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 16A TO-268 Enquête
IXFT24N50 Image IXFT24N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 Enquête
IXFT24N90P Image IXFT24N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH TO-268 Enquête
IXFT16N90Q Image IXFT16N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 16A TO-268 Enquête
IXFT24N80P Image IXFT24N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 24A TO-268 Enquête
IXFT21N50Q Image IXFT21N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 21A TO-268 Enquête
IXFT23N80Q Image IXFT23N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3) Enquête
IXFT20N80Q Image IXFT20N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 Enquête
IXFT17N80Q Image IXFT17N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3) Enquête
IXFT170N25X3HV Image IXFT170N25X3HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV Enquête
IXFT18N100Q3 Image IXFT18N100Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 Enquête
IXFT16N120P Image IXFT16N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 16A TO268 Enquête
IXFT220N20X3HV Image IXFT220N20X3HV IXYS Corporation 200V/220A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Enquête
IXFT180N20X3HV Image IXFT180N20X3HV IXYS Corporation 200V/180A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Enquête
IXFT23N60Q Image IXFT23N60Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) Enquête
IXFT18N90P Image IXFT18N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 18A TO268 Enquête
IXFT24N50Q Image IXFT24N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 Enquête
IXFT1874 TR IXYS Corporation MOSFET N-CH TO268 Enquête
IXFT20N100P Image IXFT20N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268 Enquête

Latest Nouvelles