IXFT170N25X3HV
IXFT170N25X3HV
Modèle de produit:
IXFT170N25X3HV
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
72681 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFT170N25X3HV.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-268HV
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.4 mOhm @ 85A, 10V
Dissipation de puissance (max):960W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:13500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:190nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):250V
Description détaillée:N-Channel 250V 170A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268HV
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:170A (Tc)
Email:[email protected]

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