| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Test: | 97pF @ 15V |
| Tension - Ventilation: | Micro3™/SOT-23 |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
| Vgs (Max): | 2.7V, 4.5V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | HEXFET® |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 780mA (Ta) |
| Polarisation: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | IRLML6302GTRPBF-ND IRLML6302GTRPBFTR SP001550492 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | IRLML6302GTRPBF |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3.6nC @ 4.5V |
| type de IGBT: | ±12V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.5V @ 250µA |
| Fonction FET: | P-Channel |
| Description élargie: | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20V |
| Ratio de capacité: | 540mW (Ta) |
| Email: | [email protected] |
