| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Testi: | 97pF @ 15V |
| Jännite - Breakdown: | Micro3™/SOT-23 |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
| Vgs (Max): | 2.7V, 4.5V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Sarja: | HEXFET® |
| RoHS-tila: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 780mA (Ta) |
| Polarisaatio: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | IRLML6302GTRPBF-ND IRLML6302GTRPBFTR SP001550492 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IRLML6302GTRPBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3.6nC @ 4.5V |
| IGBT Tyyppi: | ±12V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.5V @ 250µA |
| FET Ominaisuus: | P-Channel |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | - |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| kapasitanssi Ratio: | 540mW (Ta) |
| Email: | [email protected] |
