| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | Micro3™/SOT-23 |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.3W (Ta) |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | IRLML6402GTRPBFCT |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 633pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 5V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | P-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
