| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Micro3™/SOT-23 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.3W (Ta) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | IRLML6402GTRPBFCT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 633pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
