| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | Micro3™/SOT-23 |
| Série: | HEXFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Ztráta energie (Max): | 1.3W (Ta) |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Ostatní jména: | IRLML6402GTRPBFCT |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 633pF @ 10V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 2.5V, 4.5V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
| Detailní popis: | P-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 3.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
