IPP50R199CPHKSA1
IPP50R199CPHKSA1
Modèle de produit:
IPP50R199CPHKSA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 550V TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
59803 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IPP50R199CPHKSA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 660µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO220-3-1
Séries:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:199 mOhm @ 9.9A, 10V
Dissipation de puissance (max):139W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:SP000236074
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):550V
Description détaillée:N-Channel 550V 17A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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