IPP50R199CPHKSA1
IPP50R199CPHKSA1
Modello di prodotti:
IPP50R199CPHKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 550V TO-220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
59803 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IPP50R199CPHKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 660µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO220-3-1
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:199 mOhm @ 9.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):139W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:SP000236074
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):550V
Descrizione dettagliata:N-Channel 550V 17A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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