IPD80N06S3-09
IPD80N06S3-09
Modèle de produit:
IPD80N06S3-09
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
38416 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IPD80N06S3-09.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 55µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO252-3
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.4 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max):107W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:SP000264473
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:6100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:88nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):55V
Description détaillée:N-Channel 55V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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