IPD80N06S3-09
IPD80N06S3-09
Modelo do Produto:
IPD80N06S3-09
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
38416 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IPD80N06S3-09.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 55µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO252-3
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8.4 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max):107W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:SP000264473
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6100pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:88nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição detalhada:N-Channel 55V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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