IPB035N08N3 G
IPB035N08N3 G
Modèle de produit:
IPB035N08N3 G
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
74672 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IPB035N08N3 G.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:8110pF @ 40V
Tension - Ventilation:PG-TO263-2
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (Max):6V, 10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:OptiMOS™
État RoHS:Digi-Reel®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100A (Tc)
Polarisation:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:IPB035N08N3 GDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Référence fabricant:IPB035N08N3 G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:117nC @ 10V
type de IGBT:±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:3.5V @ 155µA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:80V
Ratio de capacité:214W (Tc)
Email:[email protected]

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