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IPB035N08N3 G
- 部品型番:
- IPB035N08N3 G
- 説明:
- MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 74672 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- IPB035N08N3 G.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 電圧 - テスト: | 8110pF @ 40V |
| 電圧 - ブレークダウン: | PG-TO263-2 |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs（最大）: | 6V, 10V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ: | OptiMOS™ |
| RoHSステータス: | Digi-Reel® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 100A (Tc) |
| 偏光: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 他の名前: | IPB035N08N3 GDKR |
| 運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
| 製造元の部品番号: | IPB035N08N3 G |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 117nC @ 10V |
| IGBTタイプ: | ±20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 3.5V @ 155µA |
| FET特長: | N-Channel |
| 拡張された説明: | N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | - |
| 説明: | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 80V |
| 静電容量比: | 214W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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