HGT1S20N60C3S9A
HGT1S20N60C3S9A
Modèle de produit:
HGT1S20N60C3S9A
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 45A 164W TO263AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
53460 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
HGT1S20N60C3S9A.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:1.8V @ 15V, 20A
Condition de test:480V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:28ns/151ns
énergie de commutation:295µJ (on), 500µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-263AB
Séries:-
Puissance - Max:164W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:HGT1S20N60C3S9A-ND
HGT1S20N60C3S9AOSTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:91nC
Description détaillée:IGBT 600V 45A 164W Surface Mount TO-263AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm):300A
Courant - Collecteur (Ic) (max):45A
Email:[email protected]

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