HGT1S20N60C3S9A
HGT1S20N60C3S9A
Artikelnummer:
HGT1S20N60C3S9A
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 600V 45A 164W TO263AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
53460 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
HGT1S20N60C3S9A.pdf

Einführung

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Spezifikation

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Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:1.8V @ 15V, 20A
Testbedingung:480V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:28ns/151ns
Schaltenergie:295µJ (on), 500µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-263AB
Serie:-
Leistung - max:164W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:HGT1S20N60C3S9A-ND
HGT1S20N60C3S9AOSTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:-
Gate-Ladung:91nC
detaillierte Beschreibung:IGBT 600V 45A 164W Surface Mount TO-263AB
Strom - Collector Pulsed (Icm):300A
Strom - Kollektor (Ic) (max):45A
Email:[email protected]

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