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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > HGT1N30N60A4D
HGT1N30N60A4D
Modèle de produit:
HGT1N30N60A4D
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
48105 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
HGT1N30N60A4D.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 30A
Package composant fournisseur:SOT-227B
Séries:-
Puissance - Max:255W
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance:No
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Contribution:Standard
type de IGBT:-
Description détaillée:IGBT Module Single 600V 96A 255W Chassis Mount SOT-227B
Courant - Collecteur Cutoff (Max):250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):96A
Configuration:Single
Email:[email protected]

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image Modèle de produit Fabricant La description Vue
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