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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > GSID080A120B1A5
GSID080A120B1A5
Modèle de produit:
GSID080A120B1A5
Fabricant:
Global Power Technologies Group
La description:
SILICON IGBT MODULES
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
53469 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
GSID080A120B1A5.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2V @ 15V, 80A
Package composant fournisseur:Module
Séries:Amp+™
Puissance - Max:1710W
Package / Boîte:Module
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C
NTC thermistance:Yes
Type de montage:Chassis Mount
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:7nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:-
Description détaillée:IGBT Module Single 1200V 160A 1710W Chassis Mount Module
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1mA
Courant - Collecteur (Ic) (max):160A
Configuration:Single
Email:[email protected]

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