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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > GSID080A120B1A5
GSID080A120B1A5
Modello di prodotti:
GSID080A120B1A5
fabbricante:
Global Power Technologies Group
Descrizione:
SILICON IGBT MODULES
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
53469 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
GSID080A120B1A5.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2V @ 15V, 80A
Contenitore dispositivo fornitore:Module
Serie:Amp+™
Potenza - Max:1710W
Contenitore / involucro:Module
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C
Termistore NTC:Yes
Tipo montaggio:Chassis Mount
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:7nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:-
Descrizione dettagliata:IGBT Module Single 1200V 160A 1710W Chassis Mount Module
Corrente - Cutoff collettore (max):1mA
Corrente - collettore (Ic) (max):160A
Configurazione:Single
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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