FGB5N60UNDF
FGB5N60UNDF
Modèle de produit:
FGB5N60UNDF
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
35059 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FGB5N60UNDF.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 5A
Condition de test:400V, 5A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:5.4ns/25.4ns
énergie de commutation:80µJ (on), 70µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-263AB (D²PAK)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):35ns
Puissance - Max:73.5W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:NPT
gate charge:12.1nC
Description détaillée:IGBT NPT 600V 10A 73.5W Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
Courant - Collecteur pulsée (Icm):15A
Courant - Collecteur (Ic) (max):10A
Email:[email protected]

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