FGB5N60UNDF
FGB5N60UNDF
Modello di prodotti:
FGB5N60UNDF
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
35059 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FGB5N60UNDF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.4V @ 15V, 5A
Condizione di test:400V, 5A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:5.4ns/25.4ns
di scambio energetico:80µJ (on), 70µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263AB (D²PAK)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):35ns
Potenza - Max:73.5W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:NPT
carica gate:12.1nC
Descrizione dettagliata:IGBT NPT 600V 10A 73.5W Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
Corrente - collettore Pulsed (Icm):15A
Corrente - collettore (Ic) (max):10A
Email:[email protected]

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