FGA30S120P
FGA30S120P
Modèle de produit:
FGA30S120P
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 1300V 60A 348W TO3P
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
61769 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FGA30S120P.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1300V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.3V @ 15V, 30A
Condition de test:-
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:-
énergie de commutation:-
Package composant fournisseur:TO-3PN
Séries:-
Puissance - Max:348W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:78nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 1300V 60A 348W Through Hole TO-3PN
Courant - Collecteur pulsée (Icm):150A
Courant - Collecteur (Ic) (max):60A
Email:[email protected]

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