FGA30N60LSDTU
FGA30N60LSDTU
Modèle de produit:
FGA30N60LSDTU
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
IGBT 600V 60A 480W TO3PN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
93712 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FGA30N60LSDTU.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:1.4V @ 15V, 30A
Condition de test:400V, 30A, 6.8 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:18ns/250ns
énergie de commutation:1.1mJ (on), 21mJ (off)
Package composant fournisseur:TO-3P
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):35ns
Puissance - Max:480W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Autres noms:FGA30N60LSDTU-ND
FGA30N60LSDTUFS
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:225nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 600V 60A 480W Through Hole TO-3P
Courant - Collecteur pulsée (Icm):90A
Courant - Collecteur (Ic) (max):60A
Email:[email protected]

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