FDS86540
FDS86540
Modèle de produit:
FDS86540
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N CH 60V 18A 8-SO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
50015 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDS86540.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.5 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.5W (Ta), 5W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:FDS86540CT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:6410pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:90nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):8V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 18A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:18A (Ta)
Email:[email protected]

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