FDS86540
FDS86540
Modello di prodotti:
FDS86540
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N CH 60V 18A 8-SO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
50015 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDS86540.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:4.5 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 5W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:FDS86540CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6410pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:90nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):8V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 18A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Ta)
Email:[email protected]

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