FDB86360-F085
FDB86360-F085
Modèle de produit:
FDB86360-F085
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
35238 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDB86360-F085.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
Séries:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.8 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max):333W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:FDB86360-F085CT
FDB86360_F085CT
FDB86360_F085CT-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:33 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:14600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:253nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):80V
Description détaillée:N-Channel 80V 110A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

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