FDB86360-F085
FDB86360-F085
Nomor bagian:
FDB86360-F085
Pabrikan:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Deskripsi:
MOSFET N-CH 80V 110A TO263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
35238 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
FDB86360-F085.pdf

pengantar

FDB86360-F085 harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk FDB86360-F085, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk FDB86360-F085 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:D²PAK (TO-263AB)
Seri:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:1.8 mOhm @ 80A, 10V
Power Disipasi (Max):333W (Tc)
Pengemasan:Cut Tape (CT)
Paket / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nama lain:FDB86360-F085CT
FDB86360_F085CT
FDB86360_F085CT-ND
Suhu Operasional:-55°C ~ 175°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Manufacturer Standard Lead Time:33 Weeks
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:14600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:253nC @ 10V
FET Jenis:N-Channel
Fitur FET:-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):10V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):80V
Detil Deskripsi:N-Channel 80V 110A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar