| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Test: | 4640pF @ 25V |
| Tension - Ventilation: | TO-3PN |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 41 mOhm @ 34.5A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | UniFET™ |
| État RoHS: | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 69A (Tc) |
| Polarisation: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 6 Weeks |
| Référence fabricant: | FDA69N25 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 100nC @ 10V |
| type de IGBT: | ±30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
| Fonction FET: | N-Channel |
| Description élargie: | N-Channel 250V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 250V |
| Ratio de capacité: | 480W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
