| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Gerilim - Deney: | 4640pF @ 25V |
| Gerilim - Arıza: | TO-3PN |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 41 mOhm @ 34.5A, 10V |
| Vgs (Maks.): | 10V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dizi: | UniFET™ |
| RoHS Durumu: | Tube |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 69A (Tc) |
| polarizasyon: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 6 Weeks |
| Üretici parti numarası: | FDA69N25 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 100nC @ 10V |
| IGBT Tipi: | ±30V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
| FET Özelliği: | N-Channel |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 250V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | - |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 250V |
| kapasitans Oranı: | 480W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
