| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - Prova: | 4640pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione: | TO-3PN |
| Vgs (th) (max) a Id: | 41 mOhm @ 34.5A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | UniFET™ |
| Stato RoHS: | Tube |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 69A (Tc) |
| Polarizzazione: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FDA69N25 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 100nC @ 10V |
| Tipo IGBT: | ±30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 250V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 250V |
| rapporto di capacità: | 480W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
