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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > EPC2019ENG
EPC2019ENG
EPC2019ENG
Modèle de produit:
EPC2019ENG
Fabricant:
EPC
La description:
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
62762 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
EPC2019ENG.pdf
Enquête

introduction

EPC2019ENG meilleur prix et livraison rapide.
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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Test:270pF @ 100V
Tension - Ventilation:Die
Vgs (th) (Max) @ Id:50 mOhm @ 7A, 5V
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Séries:eGaN®
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.5A (Ta)
Polarisation:Die
Autres noms:917-1055-2
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:EPC2019ENG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2.5nC @ 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 1.5mA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
Tension drain-source (Vdss):-
La description:TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:200V
Ratio de capacité:-
Email:[email protected]

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