EPC2019ENG
EPC2019ENG
Số Phần:
EPC2019ENG
nhà chế tạo:
EPC
Sự miêu tả:
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
62762 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
EPC2019ENG.pdf

Giới thiệu

EPC2019ENG giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho EPC2019ENG, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho EPC2019ENG qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
Điện áp - Kiểm tra:270pF @ 100V
Voltage - Breakdown:Die
VGS (th) (Max) @ Id:50 mOhm @ 7A, 5V
Công nghệ:GaNFET (Gallium Nitride)
Loạt:eGaN®
Tình trạng RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, VGS:8.5A (Ta)
sự phân cực:Die
Vài cái tên khác:917-1055-2
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:EPC2019ENG
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2.5nC @ 5V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 1.5mA
FET Feature:N-Channel
Mô tả mở rộng:N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
Xả để nguồn điện áp (Vdss):-
Sự miêu tả:TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:200V
Tỷ lệ điện dung:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận