| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 5mA |
| Vgs (Max): | +6V, -4V |
| La technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Package composant fournisseur: | Die Outline (11-Solder Bar) |
| Séries: | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7 mOhm @ 25A, 5V |
| Dissipation de puissance (max): | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | Die |
| Autres noms: | 917-1079-2 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 900pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 9nC @ 5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| Description détaillée: | N-Channel 100V 36A (Ta) Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 36A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
